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특허등록
번호 산업재산권 명칭 출원/등록국가 연구책임자 단계
377 유연 기판, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 유연 전자 장치 대한민국 정윤영 3단계
5차년도
376 신축성 기판의 제조방법 및 그를 포함하는 신축성 전자기기의 제조방법 대한민국 박태호 3단계
5차년도
375 미세섬유 네트워크 복합유연기판, 그를 포함하는 복합유연전극 및 그의 제조방법 대한민국 정운룡 3단계
5차년도
374 적층된 밀도구배 신축성 전극 및 이에 기반한 고탄성 고효율 전지 대한민국 박수진 3단계
5차년도
373 나노 박막의 제조 방법 대한민국 임병권 3단계
5차년도
372 개시제를 이용한 화학 기상 증착의 다층 시스템 및 방법 대한민국 임성갑 3단계
5차년도
371 산화그래핀 제조방법 대한민국 임종선 3단계
5차년도
370 비닐렌구조를 포함한 유기반도체성 물질 및 이를 이용한 박막트랜 대한민국 노용영 3단계
5차년도
369 양극산화법을 이용한 전극 적층체의 제조방법, 및 그의 제조 방법을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 대한민국 박태호 3단계
5차년도
368 일함수 조절이 가능한 그래핀 배리스터를 포함하는 반도체 소자 대한민국 최성율 3단계
5차년도
367 파이버상에 형성된 박막드랜지스터 및 그 제조방법 대한민국 박종진 3단계
5차년도
366 METHOD OF FABRICATING STRETCHABLE ELECTRICAL CIRCUIT AND APPARATUS FOR FABRICATING STRETCHABLE ELECTRICAL CIRCUIT 미국 홍용택 3단계
5차년도
365 SPHERICAL COMPLEMENTARY RESISTANCE SWITCHABLE FILLER AND NONVOLATILE COMPLEMENTARY RESISTANCE SWITCHABLE MEMORY COMPRISING THE SAME 미국 손정곤 3단계
5차년도
364 WAVY METAL NANOWIRE NETWORK THIN FILM, STRETCHABLE TRANSPARENT ELECTRODE INCLUDING THE METAL NANOWIRE NETWORK THIN FILM AND METHOD FOR FORMING THE METAL NANOWIRE NETWORK THIN FILM 미국 손정곤 3단계
5차년도
363 NON-VOLATILE RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY DEVICE WITH RELIABLE OPERATION INDICATOR, DEVICE-TO-DEVICE UNIFORMITY, AND MULTILEVEL CELL STORAGE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 미국 손정곤 3단계
5차년도
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